論文 - 井上 雅彦
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Analysis of Dopant Concentration in Semiconductor Using Secondary Electron Method
Y.MIZUHARA, J.KATO, T.NAGATOMI, Y.TAKAI, M.INOUE
Japanese Journal of Applied Physics42 L709-L711 2003年07月
共著
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Application of a Low Energy Ion Gun for High Resolution Depth Profiling
Ryuichi SHIMIZU，Masahiko INOUE
Journal of Surface Analysis10 ( 2 ) 154 - 157 2003年04月
共著
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Novel Floating-type Low-energy Ion Gun for High Resolution Depth Profiling in Ultrahigh Vacuum
*Y. MIZUHARA, J. KATO, T. NAGATOMI, Y. TAKAI, T. AOYAMA, A. YOSHIMOTO, M. INOUE, R. SHIMIZU
Surface and Interface Analysis35 382 - 386 2003年03月
共著
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低速イオン銃を用いた高分解能深さ方向分析
井上雅彦，志水隆一，宇多勝明，佐藤達志
Journal of Surface Analysis10 ( 1 ) 31 - 41 2003年02月
共著
研究論文（学術雑誌）
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Evaluation of SIMS depth resolution using delta-doped multilayers and mixing-roughness-inromation depth model
A.Takano, Y.Homma, Y.Higashi, H.Takenaka, S.Hayashi, K.Goto, M.Inoue, R.Shimnizu
Applied Surface Science203-204 ( 1 ) 294 - 297 2003年01月
共著
研究論文（学術雑誌）
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Quantitative measurement of surface potential and amount of charging on insulator surface under electron beam irradiation
Y.MIZUHARA, J.KATO, T.NAGATOMI, Y.TAKAI, M.INOUE
Journal of Applied Physics92 6128 - 6133 2002年11月
共著
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電子線照射による SiO2/Si 試料損傷の低エネルギーピークを用いた定量的評価
木村隆，田沼繁夫，井上雅彦，鈴木峰晴，橋本哲，三浦薫
表面科学23 6128 - 6133 2002年07月
共著
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AESによる SiO2/Si 試料表面の電子線照射損傷評価
木村隆，田沼繁夫，井上雅彦，鈴木峰晴，橋本哲，三浦薫
Journal of Surface Analysis9 75 - 80 2002年03月
共著
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Auger Electron Spectroscopy and ion scattering in AlN thin film prepared by post-irradiation with N2+ ions
Y.MIZUHARA,R.MITSUHASHI,T.NAGATOMI,Y.TAKAI,M.INOUE
Surface and Interface Analysis33 437 - 440 2002年03月
共著
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SERD プロジェクト報告（２）
SERD プロジェクトグループ
Journal of Surface Analysis8 ( 2 ) 164 - 165 2001年05月
共著
研究論文（学術雑誌）
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Enrichment of Al in the topmost surface of AlN crystallinr film prepared by post-irradiation
Y. MIZUHARA, R. MITSUHASHI, T. NAGATOMI, Y. TAKAI, M. INOUE, R. SHIMIZU
Surface and Interface Analysis31 ( 2 ) 99 - 101 2001年04月
共著
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スパッタエッチングレートデータベースプロジェクト（SERD）報告
井上雅彦, SERDプロジェクトグループ
Journal of Surface Analysis8 ( 1 ) 76 - 85 2001年02月
共著
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Sputter Etching Rate Database (SERD) Project of SASJ
Masahiko INOUE, SERD project group of SASJ
Journal of the Korean Vaccum Society9 ( S2 ) 103 - 106 2000年11月
共著
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Use of Oxygen Bound with Aluminum for Auger Depth Profiling of GaAs/AlAs Superlattice Structure
H.I. Lee, M. INOUE, R. MITSUHASHI, R. SHIMIZU, S. Hofmann
Technol. Repts. of Osaka Univ.48 1 1998年03月
共著
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活性種を用いたスパッタリング
井上雅彦
Journal of Surface Analysis3 ( 3 ) 659 1997年03月
単著
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Surface Structure of Zr-O/W(100) system at 1700K
*Y. IROKAWA, R. MITSUHASHI, S.C. LEE, K.Y. MIN, M. INOUE, Y. KIMURA, R. SHIMIZU
Japanese Journal of Applied Physics35 ( 7 ) 4042 - 4043 1996年07月
共著
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Anormaly in Sputtering on Titanium Nitride Film Growth by Post Irradiation Processing
R. SHIMIZU, S. Hofmann、K.Y. MIN, Y. SUZUKI, R. MITSUHASHI, M. INOUE,
Journal of Applied Physics35 221 1996年03月
共著
研究論文（学術雑誌）
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Surface Segregation of Zirconium in Oxygen-processed Zr/W(III) System at High Temperature
S.C. LEE, Y. IROKAWA, M. INOUE, R. SHIMIZU
Surface Science359 198 - 204 1996年03月
共著
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RHEED-ISS study on the Zr-O/W(100) surface at high temperature
*Y. IROKAWA, R. MITSUHASHI, S.C. LEE, Y. KIMURA, M. INOUE, Y. TAKAI, R. SHIMIZU
Surface Science367 96 - 104 1996年03月
共著
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Monte Carlo Simulation for Auger Depth Profiling of GaAs/AlAs Superlattice Structure by Ar+ Ion Sputtering
H.I. Lee, R. SHIMIZU, M. INOUE, K. KAJIWARA, S. Hofmann
Japanese Journal of Applied Physics35 2271 1996年03月
共著